西数明年底量产BiCS6闪存：162层堆栈
发布时间：2021-12-06 10:42:54 所属栏目：数码 来源：互联网
导读：芯研所12月5日消息，西数将在明年底量产BiCS6代3D闪存，堆栈层数提升到162，而且接口速度翻倍。在闪存市场上，西数跟东芝是合作研发、生产的，BiCS技术其实主要是来自东芝，目前量产的主力是BiCS5，2019年2月份发布，堆栈层数112层，核心容量512Gbit，接口速
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芯研所12月5日消息，西数将在明年底量产BiCS6代3D闪存，堆栈层数提升到162，而且接口速度翻倍。在闪存市场上，西数跟东芝是合作研发、生产的，BiCS技术其实主要是来自东芝，目前量产的主力是BiCS5，2019年2月份发布，堆栈层数112层，核心容量512Gbit，接口速度1.066Gbps。 BiCS6闪存是下一代产品，堆栈层数最终确定为162层，而非之前所说的170+层，核心容量也提升到了1Tbit，另外就是接口速度也将达到2.0Gbps，相比上代翻倍，不过距离三星最新的8代V-NAND闪存的2.4Gbps还有点距离。 根据西数的计划，BiCS6闪存将从明年初开始生产，但真正大规模量产要到2022年底了，现在的BiCS5闪存还要过渡至少一年。 （编辑：随州站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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